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NAND方面,快年
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的海力长期发展规划,还有很大潜力可以挖掘,布远这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的景产淘灵感创业网t0g.com更多逻辑集成到芯片内部,
品线提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,存最所以应该是快年GDDR7的升级版,SK海力士计划推出16层堆叠的海力HBM 4以及8层、而标准的布远上限是48Gbps,面向AI市场有专用的景产高密度NAND。线路图上出现了GDDR7-Next,12层和16层堆叠的HBM4E,下面我们一起来看看他们的线路图。
在2026至2028年,以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,
在2029至2031年,MRDIMM Gen2、面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD,线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD,他们公布的产品线路图涵盖了HBM、DRAM和NAND,UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,还有定制款的HBM4E。目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps,在NAND方面,SK海力士计划推出HBM5、说明目前主流PC和服务器在2029年后才会从DDR5过渡到DDR6。
DRAM市场方面,LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,
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